達(dá)晶微電子產(chǎn)品的規(guī)格因產(chǎn)品類型、型號(hào)及具體應(yīng)用需求的不同而有所差異。以下是根據(jù)現(xiàn)有信息，對(duì)達(dá)晶微電子部分產(chǎn)品規(guī)格的一個(gè)概括性介紹：
1. 保護(hù)芯片系列(如CR2201)
功能：集成高邊側(cè)功率MOSFET，具有過(guò)壓(OVP)、欠壓(UVP)、過(guò)流(OCP)、過(guò)溫(OTP)保護(hù)功能。
電氣參數(shù)：
最大輸入電壓：36V
最大輸出電流：1A
過(guò)壓保護(hù)閾值電壓：6.1V
過(guò)壓響應(yīng)時(shí)間：50nS
最小過(guò)流閾值電流：1.4A
過(guò)溫保護(hù)閾值溫度：155℃
靜電承受能力：±2KV
2. TVS二極管系列(如1.5KE170A)
封裝：DO-201AD
電氣特性：
反向關(guān)斷電壓(典型值)：145V
擊穿電壓(最小值)：162V
箝位電壓：234V
峰值脈沖電流(10/1000μs)：6.4A
PPP(脈沖功率耗散)：1500W
3. 其他產(chǎn)品(如IGBT、MOSFET等)
由于達(dá)晶微電子產(chǎn)品線廣泛，涵蓋IGBT、MOSFET、FRD、保護(hù)器件等多種類型，且每種類型下又有多個(gè)型號(hào)，因此具體的規(guī)格參數(shù)會(huì)根據(jù)型號(hào)和應(yīng)用場(chǎng)景的不同而有所變化。這些產(chǎn)品的規(guī)格可能包括但不限于：
額定電壓：根據(jù)產(chǎn)品類型和型號(hào)不同，額定電壓可能有所不同，如IGBT可能涵蓋600V、1200V、1700V等多個(gè)等級(jí)。
額定電流：同樣根據(jù)產(chǎn)品類型和型號(hào)的不同，額定電流也會(huì)有所差異。
開(kāi)關(guān)速度：對(duì)于MOSFET等開(kāi)關(guān)器件，開(kāi)關(guān)速度是一個(gè)重要的性能指標(biāo)，影響著電路的整體效率。
封裝形式：包括DIP、SOP、DFN等多種封裝形式，以適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
注意事項(xiàng)
由于產(chǎn)品規(guī)格會(huì)隨著技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)需求的變化而更新，因此建議直接查閱達(dá)晶微電子的官方網(wǎng)站或聯(lián)系其授權(quán)代理商以獲取最新的產(chǎn)品規(guī)格信息。
在選擇和使用達(dá)晶微電子產(chǎn)品時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計(jì)要求進(jìn)行選型，并遵循相關(guān)的使用指南和安全規(guī)范。